半导体物理基础
西安电子科技大学
主讲教师：柴常春
| 课程章节 | | 文件类型 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 半导体中的电子状态 |
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290.07MB | ||
| 1.2 单电子近似模型和半导体能带 |
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879.97KB | ||
| 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 |
文档
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1.13MB | ||
| 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 |
文档
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1.10MB | ||
| 1.5 回旋共振与Si、Ge的能带结构 |
文档
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898.95KB | ||
| 1.6 补充：Si的能带结构详解 |
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258.26MB | ||
| 2.1 Si、Ge中的杂质能级 |
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459.92KB | ||
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403.82KB | |||
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174.02MB | |||
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164.21MB | |||
| 2.2 深浅能级与III-V族化合物杂质能级 位错 |
文档
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393.49KB | ||
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477.68KB | |||
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172.65MB | |||
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158.37MB | |||
| 3.1 状态密度 |
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370.75KB | ||
| 3.2 费米能级与载流子的统计分布 |
文档
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391.80KB | ||
| 3.3 本征半导体载流子浓度 |
文档
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850.53KB | ||
| 3.4 杂质半导体的载流子浓度 |
文档
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503.80KB | ||
| 3.5 一般情况下载流子统计分布 简并半导体 |
文档
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643.71KB | ||
| 4.1 载流子的迁移率 散射 |
文档
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1.38MB | ||
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文档
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598.99KB | |||
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316.18MB | |||
| 4.2 迁移率、电阻率和杂质浓度、温度的关系 |
文档
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1.38MB | ||
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文档
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1.06MB | |||
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347.35MB | |||
| 5.1 非平衡载流子的注入与复合 |
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2.63MB | ||
| 5.2 寿命与准费米能级 |
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272.33MB | ||
| 5.3 复合理论（1） |
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2.66MB | ||
| 5.4 复合理论（2） 扩散运动 |
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2.37MB | ||
| 5.5 载流子的漂移运动 连续性方程 |
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4.59MB | ||
| 6.1 pn结及其能带图 |
文档
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2.65MB | ||
| 6.2 pn结电流电压特性 |
文档
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2.43MB | ||
| 6.3 pn结电容 |
文档
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1.21MB | ||
| 6.4 pn结击穿 |
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1.66MB | ||
| 6.5 pn结隧道效应 |
文档
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764.57KB |
视频