职称:教授
单位:微电子学院
部门:微电子学系
主讲教师:柴常春,张军琴,李迪,卢启军,钟龙杰
教师团队:共5位
| 学校: | 西安电子科技大学 |
| 开课院系: | 微电子学院 |
| 专业大类: | 电子科学与技术 |
| 开课专业: | 集成电路设计与集成系统 |
| 课程编号: | MI024002 |
| 学分: | 3 |
| 课时: | 48 |
目标:本课程是是集成电路设计与集成系统专业的专业核心课程之一。通过本课程的学习,使学生熟练掌握半导体的基本性质、相关基础理论以及其特性受外界因素的影响及其变化规律。为后续《半导体表面与界面》、《半导体器件物理I》、《半导体器件物理II》、《集成电路制造技术与实践》等专业核心课程的学习奠定必要的理论和实践基础。 任务:以《大学物理》、《现代物理基础》等先修课程的相关知识为基础,本课程重点研究半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识,使学生系统掌握半导体的能带结构、杂质与缺陷能级、简并与非简并半导体载流子浓度计算、漂移运动与散射机构、非平衡载流子复合理论、爱因斯坦关系和连续性方程等基本概念、相关理论和发展前沿。
| 课程章节 | | 文件类型 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 绪论 |
文档
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584.00KB | ||
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| 1.2 化学键和晶体结构 |
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986.69KB | ||
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350.92MB | |||
| 1.3 晶向与晶面 |
文档
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1.10MB | ||
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353.31MB | |||
| 1.4 晶体结构的各向异性 |
文档
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1.20MB | ||
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| 2.1 半导体中的电子状态 |
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290.07MB | ||
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19.80MB | |||
| 2.2 单电子近似模型和半导体能带 |
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19.33MB | |||
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| 2.3 半导体中电子的运动;有效质量 |
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21.49MB | |||
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| 2.4 本征半导体的导电机构 空穴 |
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1.10MB | ||
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视频
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15.56MB | |||
| 2.5 回旋共振与Si、Ge的能带结构 |
文档
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898.95KB | ||
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15.83MB | |||
| 2.6 补充:Si的能带结构详解 |
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18.98MB | |||
| 3.1 Si、Ge中的杂质能级 |
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| 3.2 深浅能级与III-V族化合物杂质能级 位错 |
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393.49KB | ||
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| 4.1 状态密度 |
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370.75KB | ||
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22.59MB | |||
| 4.2 费米能级与载流子的统计分布 |
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391.80KB | ||
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| 4.3 本征半导体载流子浓度 |
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850.53KB | ||
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21.74MB | |||
| 4.4 杂质半导体的载流子浓度 |
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503.80KB | ||
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| 4.5 一般情况下载流子统计分布 简并半导体 |
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643.71KB | ||
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| 5.1 载流子的迁移率 散射 |
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1.38MB | ||
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| 5.2 迁移率、电阻率和杂质浓度、温度的关系 |
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25.80MB | |||
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| 6.1 非平衡载流子的注入与复合 |
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2.63MB | ||
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17.54MB | |||
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580.58KB | |||
| 6.2 寿命与准费米能级 |
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272.33MB | ||
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13.46MB | |||
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423.40KB | |||
| 6.3 复合理论(1) |
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2.66MB | ||
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19.58MB | |||
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863.41KB | |||
| 6.4 复合理论(2) 扩散运动 |
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2.37MB | ||
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30.56MB | |||
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20.00MB | |||
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686.47KB | |||
| 6.5 载流子的漂移运动 连续性方程 |
文档
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4.59MB | ||
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17.33MB | |||
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17.60MB | |||
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492.97KB | |||
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