半导体物理

张国成

目录

  • 1 固体物理基础
    • 1.1 原子的周期性阵列
    • 1.2 晶体结构
  • 2 前言
    • 2.1 半导体物理概论
  • 3 半导体中的电子状态
    • 3.1 晶体结构与电子状态
    • 3.2 能带与有效质量
    • 3.3 半导体的导电机构
  • 4 半导体中的缺陷与杂质能级
    • 4.1 硅、锗晶体中的杂质能级
    • 4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级，缺陷和位错能级
  • 5 半导体中载流子的统计分布
    • 5.1 状态密度
    • 5.2 费米分布函数
    • 5.3 载流子的统计分布
    • 5.4 本征半导体的载流子统计分布
    • 5.5 杂质半导体的载流子统计分布
    • 5.6 一般情况下的载流子统计分布
    • 5.7 简并半导体
  • 6 半导体的导电性
    • 6.1 载流子的漂移运动和迁移率
    • 6.2 载流子的散射
    • 6.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
    • 6.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系
    • 6.5 强电场下的效应和热载流子
  • 7 非平衡载流子
    • 7.1 非平衡载流子的注入与复合
    • 7.2 非平衡载流子的寿命
    • 7.3 准费米能级
    • 7.4 非平衡载流子的复合-直接复合
    • 7.5 非平衡载流子的复合-间接复合
    • 7.6 俄歇复合与陷阱效应
    • 7.7 载流子的扩散运动
    • 7.8 爱因斯坦关系式，连续性方程
  • 8 pn结
    • 8.1 pn结及其能带图
    • 8.2 pn结的伏安特性
    • 8.3 pn结电容
    • 8.4 pn结击穿
    • 8.5 pn结隧道效应
硅、锗晶体中的杂质能级


施主杂质及施主电离动画


受主杂质及受主杂质电离动画


杂质的补偿作用动画