一、实验目的

1、掌握半导体静态随机存储器RAM的特性和使用方法。

2、掌握地址和数据在计算机总线的传送关系。

3、了解运算器和存储器如何协同工作。

二、实验设备

计算机组成原理实验系统一套，PC机一台。

三、预习要求

预习半导体静态随机存储器6116的功能。

四、实验原理

实验所用的静态存储器由一片6116（2K×8bit）构成（位于MEM单元），如图2-1所示。6116有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如表2-1所示，当片选有效（CS=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地。

                              图2-1  SRAM 6116引脚图

由于存储器（MEM）最终是要挂接到CPU上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-2所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出（时序单元的介绍见附录2）。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。

          表2-1  SRAM 6116功能表

                                                                                                     图2-2 读写控制逻辑

实验原理图及数据通路图如图2-3、2-4所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器（74LS273，位于PC&AR单元）给出。数据开关（位于IN单元）经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。

   图2-3 存储器实验原理图

                                                                       图2-4 数据通路图

实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元，CLR都连接至CON单元的CLR按钮。实验时T3由时序单元给出，其余信号由CON单元的二进制开关模拟给出，其中IOM应为低（即MEM操作），RD、WR高有效，MR和MW低有效，LDAR高有效。

五、实验内容

掌握静态RAM的的读写方式，往RAM的任意地址里存放数据，然后读出并检查结果是否正确。

                                   图2-5 实验接线图

六、实验步骤

(1)关闭实验系统电源，按图2-5连接实验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。

(2)将时序与操作台单元的开关KK1、KK3置为运行档、开关KK2置为‘单步’档。

 (3)将CON单元的IOR开关置为1（使IN单元无输出），打开电源开关，如果听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。

(4)往存储器写数据：

由前面的存储器实验原理图（图2-3）可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动ST产生T3脉冲，即将地址打入到AR中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动ST产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图2-6所示（以向00地址单元写入11H为例）：

                 图2-6 写存储器流程图

  (5)依据上述流程，给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。

(6)读出存储器数据：

同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN单元的输出，然后使存储器处于读状态，此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。

(7)请参照图2-6写存储器的流程图自行写出读存储器的流程，并读出已写入的数据，验证其正确性。