李炳宗教授：1962年1月毕业于莫斯科大学物理系。1962.5－1981.9月在复旦大学物理系曾先后从事强脉冲磁场、双极型中大规模集成电路等方面研究。1981.10－1983.10月在美国科罗拉多大学物理系和NCR公司微电子研发部做访问学者，从事硅化物、离子注入和快速退火等VLSI器件工艺技术研究工作。1983.11月起在复旦大学微电子学系进行固相反应硅化物薄膜材料及器件技术、肖特基接触、CoSi2/Si异质固相外延等研究，完成多项国家重点科技攻关、自然科学基金等课题，在国内外学术期刊和会议上发表论文一百余篇，关于硅化物的研究成果曾获1992年国家教委科技进步二等奖和1998年教育部科技进步三等奖等奖项。多年从事微电子学院研究生《半导体工艺技术》课程的讲授工作。曾多次应邀在国际学术会议和国外研究机构作有关硅化物研究的邀请报告和学术报告。曾担任历届ICSICT程序委员会委员或主席、IWJT2004-2014国际会议执行主席/大会主席、IEEE/EDS上海支会会长。现为IEEE高级会员，中国电子学会学术工作委员会委员。