视频半导体材料概论
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个人介绍
主讲教师：杨德仁
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教学资源
| 课程章节 | | 文件类型 | | 修改时间 | | 大小 | | 备注 | |
| 1.1 半导体材料的研究和应用（上） 3.0 |
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2020-11-26 | 417.98MB | ||
| 1.2 半导体材料的研究和应用（下） 3.0 |
视频
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2020-11-26 | 489.60MB | ||
| 1.3 半导体材料和分类 3.0 |
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2020-11-26 | 385.90MB | ||
| 1.4 半导体材料电学特征 3.0 |
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2020-11-26 | 349.04MB | ||
| 1.5 半导体材料结构特性 3.0 |
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2020-11-26 | 227.59MB | ||
| 1.6 中国半导体材料产业 3.0 |
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2021-09-30 | 178.56MB | ||
| 1.7 半导体材料展望 3.0 |
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2020-11-26 | 701.09MB | ||
| 2.1 半导体晶体材料 3.0 |
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2020-11-26 | 227.34MB | ||
| 2.2 晶体生长的热力学理论（上）3.0 |
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2020-11-26 | 173.75MB | ||
| 2.3 晶体生长的热力学理论（中）3.0 |
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2020-11-26 | 358.66MB | ||
| 2.4 晶体生长的热力学理论（下）3.0 |
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2020-11-26 | 316.35MB | ||
| 2.5 晶体生长的动力学理论 3.0 |
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2020-11-26 | 445.06MB | ||
| 2.6 晶体的外形 3.0 |
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2020-11-26 | 376.02MB | ||
| 3.1 熔体生长晶体技术（一）3.0 |
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2020-11-26 | 265.59MB | ||
| 3.2 熔体生长晶体技术（二）3.0 |
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2020-11-26 | 550.09MB | ||
| 3.3 溶液生长晶体技术3.0 |
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2020-11-26 | 459.94MB | ||
| 3.4 气相生长晶体技术3.0 |
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2020-11-26 | 290.73MB | ||
| 3.5 固相生长晶体技术 3.0 |
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2020-11-26 | 148.45MB | ||
| 4.1 硅的基本性质4.0 |
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2021-09-22 | 660.25MB | ||
| 4.2 硅的结构性质4.0 |
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2021-09-22 | 331.63MB | ||
| 4.3 硅的电学性质4.0 |
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2021-09-22 | 445.15MB | ||
| 4.4 硅的化学性质 |
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2021-09-22 | 141.68MB | ||
| 4.5 硅的光学性质 |
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2021-09-22 | 161.57MB | ||
| 4.6 硅的其他性质 2.0 |
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2021-09-24 | 255.04MB | ||
| 4.7 硅的常见形式3.0 |
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2021-09-24 | 311.33MB | ||
| 5.1 金属硅的制备3.0 |
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2021-09-26 | 338.54MB | ||
| 5.2 半导体级高纯多晶硅的制备4.0 |
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2021-09-26 | 270.01MB | ||
| 5.3 半导体级高纯多晶硅的制备（中）4.0 |
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2021-09-26 | 342.41MB | ||
| 5.4 半导体级高纯多晶硅的制备（下）4.0 |
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2021-09-26 | 270.17MB | ||
| 5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备3.0 |
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2021-09-26 | 332.39MB | ||
| 5.6 半导体级高纯多晶锗的制备4.0 |
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2021-09-28 | 361.73MB | ||
| 6.1 分凝(上) |
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2021-09-24 | 558.34MB | ||
| 6.2 分凝（中） |
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2021-09-24 | 306.63MB | ||
| 6.3 分凝（下） |
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2021-09-24 | 470.86MB | ||
| 6.4 区熔的原理 |
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2021-09-24 | 362.30MB | ||
| 6.5 区熔硅单晶（上） |
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2021-09-24 | 349.99MB | ||
| 6.6 区熔硅单晶（下） |
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2021-09-24 | 428.00MB | ||
| 7.1 直拉硅单晶2.0 |
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2021-10-12 | 350.41MB | ||
| 7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（）上） |
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2021-10-12 | 354.62MB | ||
| 7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（中） |
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2021-10-12 | 343.68MB | ||
| 7.4 单晶生长的主要影响因素（下） |
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2021-10-12 | 354.31MB | ||
| 7.5 单晶生长的主要影响因素 |
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2021-10-12 | 275.10MB | ||
| 7.6 新型直拉硅单晶生长工艺 |
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2021-10-12 | 391.28MB | ||
| 7.7 直拉硅单晶的加工（上） |
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2021-10-12 | 368.54MB | ||
| 7.8 直拉硅单晶的加工（下） |
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2021-10-12 | 321.12MB | ||
| 8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上） |
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2021-10-09 | 594.27MB | ||
| 8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下） |
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2021-10-12 | 473.56MB | ||
| 8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度 |
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2021-10-09 | 814.08MB | ||
| 8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质 |
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2021-10-12 | 551.61MB | ||
| 8.5 直拉硅中金属杂质 |
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2021-10-09 | 473.19MB | ||
| 8.6 直拉硅单晶的缺陷 |
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2021-10-09 | 314.74MB | ||
| 9.1 9.1 单晶硅薄膜材料（上） |
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2021-12-10 | 292.40MB | ||
| 9.2 9.2 单晶硅薄膜材料（下） |
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2021-12-10 | 332.72MB | ||
| 9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜SOI 3.0 |
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2021-12-10 | 331.78MB | ||
| 9.4 9.4非晶硅薄膜材料（上） |
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2021-12-10 | 388.64MB | ||
| 9.5 9.5 非晶硅薄膜材料（下） |
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2021-12-10 | 381.58MB | ||
| 9.6 9.6多晶硅薄膜材料 |
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2021-12-10 | 366.68MB | ||
| 10.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质 |
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2021-12-10 | 646.90MB | ||
| 10.2 GaAs半导体材料（上） |
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2021-12-10 | 406.02MB | ||
| 10.3 10.3 GaAs半导体材料（中） |
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2021-12-10 | 491.72MB | ||
| 10.4 10.4 GaAs半导体材料（下） |
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2021-12-10 | 452.79MB | ||
| 10.5 10.5 其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 |
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2021-12-10 | 462.91MB | ||
| 11.1 GaN的基本性质1 2.0 |
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2021-12-10 | 248.79MB | ||
| 11.2 GaN的基本性质2 2.0 |
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2021-12-10 | 254.41MB | ||
| 11.3 GaN的晶体结构和能带2.0 |
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2021-12-10 | 220.22MB | ||
| 11.4 GaN体单晶的制备2.0 |
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2021-12-10 | 253.34MB | ||
| 11.5 GaN薄膜单晶的制备3.0 |
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2021-12-10 | 456.94MB | ||
| 11.6 11.6GaN薄膜单晶的掺杂2.0 |
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2021-12-10 | 256.70MB | ||
| 12.1 II-ⅤI族化合物半导体的性质 2.0 |
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2021-12-10 | 696.49MB | ||
| 12.2 II-VI族化合物半导体的制备 2.0 |
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2021-12-10 | 681.07MB | ||
| 12.3 CdTe半导体材料 2.0 |
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2021-12-10 | 640.91MB | ||
| 12.4 II-VI族多元化合物材料 2.0 |
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2021-12-10 | 217.15MB | ||
| 13.1 ZnO的基本性质3.0 |
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2021-12-10 | 289.86MB | ||
| 13.2 13.2 13.3ZnO的体单晶的制备3.0 |
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2021-12-10 | 315.03MB | ||
| 13.3 ZnO的薄膜单晶的制备2.0 |
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2021-12-10 | 296.58MB | ||
| 13.4 ZnO的单晶的掺杂3.0 |
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2021-12-10 | 268.67MB | ||
| 14.1 14.1 SiC基本性质(上) |
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2021-12-10 | 457.08MB | ||
| 14.2 14.2 SiC基本性质(下) |
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2021-12-10 | 549.71MB | ||
| 14.3 14.3 SiC晶体结构和能带 |
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2021-12-10 | 284.80MB | ||
| 14.4 14.4 SiC体单晶的制备 |
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2021-12-10 | 677.86MB | ||
| 14.5 14.5 SiC薄膜单晶的制备 |
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2021-12-10 | 379.16MB | ||
| 14.6 14.6 SiC单晶的掺杂 - |
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2021-12-10 | 382.24MB | ||
| 15.1 第15章 浙江大学硅材料研究 |
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2021-12-10 | 487.84MB |
课程章节
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