9.6多晶硅薄膜材料
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杨德仁
目录
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1 半导体材料概论
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1.1 半导体材料的研究和应用（上） 3.0
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1.2 半导体材料的研究和应用（下） 3.0
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1.3 半导体材料和分类 3.0
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1.4 半导体材料电学特征 3.0
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1.5 半导体材料结构特性 3.0
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1.6 中国半导体材料产业 3.0
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1.7 半导体材料展望 3.0
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2 晶体生长原理
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2.1 半导体晶体材料 3.0
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2.2 晶体生长的热力学理论（上）3.0
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2.3 晶体生长的热力学理论（中）3.0
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2.4 晶体生长的热力学理论（下）3.0
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2.5 晶体生长的动力学理论 3.0
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2.6 晶体的外形 3.0
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3 晶体生长技术
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3.1 熔体生长晶体技术（一）3.0
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3.2 熔体生长晶体技术（二）3.0
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3.3 溶液生长晶体技术3.0
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3.4 气相生长晶体技术3.0
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3.5 固相生长晶体技术 3.0
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4 元素半导体硅的基本性质
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4.1 硅的基本性质4.0
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4.2 硅的结构性质4.0
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4.3 硅的电学性质4.0
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4.4 硅的化学性质
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4.5 硅的光学性质
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4.6 硅的其他性质 2.0
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4.7 硅的常见形式3.0
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5 元素半导体硅和锗的化学提纯
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5.1 金属硅的制备3.0
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5.2 半导体级高纯多晶硅的制备4.0
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5.3 半导体级高纯多晶硅的制备（中）4.0
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5.4 半导体级高纯多晶硅的制备（下）4.0
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5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备3.0
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5.6 半导体级高纯多晶锗的制备4.0
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6 区熔原理和区熔硅
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6.1 分凝(上)
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6.2 分凝（中）
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6.3 分凝（下）
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6.4 区熔的原理
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6.5 区熔硅单晶（上）
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6.6 区熔硅单晶（下）
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7 直拉提纯和直拉硅单晶
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7.1 直拉硅单晶2.0
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7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（）上）
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7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）
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7.4 单晶生长的主要影响因素（下）
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7.5 单晶生长的主要影响因素
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7.6 新型直拉硅单晶生长工艺
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7.7 直拉硅单晶的加工（上）
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7.8 直拉硅单晶的加工（下）
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8 硅单晶的掺杂和缺陷
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8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）
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8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）
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8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度
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8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质
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8.5 直拉硅中金属杂质
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8.6 直拉硅单晶的缺陷
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9 硅薄膜材料
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9.1 9.1 单晶硅薄膜材料（上）
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9.2 9.2 单晶硅薄膜材料（下）
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9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜SOI 3.0
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9.4 9.4非晶硅薄膜材料（上）
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9.5 9.5 非晶硅薄膜材料（下）
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9.6 9.6多晶硅薄膜材料
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10 III-V化合物
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10.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质
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10.2 GaAs半导体材料（上）
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10.3 10.3 GaAs半导体材料（中）
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10.4 10.4 GaAs半导体材料（下）
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10.5 10.5 其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
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11 新型半导体材料－GaN
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11.1 GaN的基本性质1 2.0
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11.2 GaN的基本性质2 2.0
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11.3 GaN的晶体结构和能带2.0
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11.4 GaN体单晶的制备2.0
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11.5 GaN薄膜单晶的制备3.0
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11.6 11.6GaN薄膜单晶的掺杂2.0
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12 II-VI－化合物材料
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12.1 II-ⅤI族化合物半导体的性质 2.0
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12.2 II-VI族化合物半导体的制备 2.0
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12.3 CdTe半导体材料 2.0
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12.4 II-VI族多元化合物材料 2.0
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13 新型半导体材料－ZnO
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13.1 ZnO的基本性质3.0
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13.2 13.2 13.3ZnO的体单晶的制备3.0
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13.3 ZnO的薄膜单晶的制备2.0
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13.4 ZnO的单晶的掺杂3.0
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14 新型半导体材料－SiC
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14.1 14.1 SiC基本性质(上)
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14.2 14.2 SiC基本性质(下)
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14.3 14.3 SiC晶体结构和能带
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14.4 14.4 SiC体单晶的制备
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14.5 14.5 SiC薄膜单晶的制备
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14.6 14.6 SiC单晶的掺杂 -
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15 新建课程目录
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15.1 第15章 浙江大学硅材料研究
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