实验目的

理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理，能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题，并能够使用正确的字库数据填充。

视频讲解

实验内容

现有如下 ROM 组件，$4$片$4$K*$32$位 ROM ，$7$片  $16$K*$32$位 ROM，请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的$16$K*$16$点阵汉字字库，电路输入为汉字区号和位号，电路输出为$8$×$32$位（$16$K*$16$=$256$ 位点阵信息），待完成的字库电路输入输出引脚见后图，具体参见工程文件中的 storage.circ 文件，图中左侧是输入引脚，分别对应汉字区位码的区号和位号，中间区域为$8$个$32$位的输出引脚，可一次性提供一个汉字的$256$位点阵显示信息，右侧是实际显示区域，用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成，请勿修改以免影响后续自动测试功能。

电路框架

storage.circ  

电路引脚

电路测试

完成存储扩展设计后，可以在字库测试电路中进行对比测试，如下图所示：

实验完成后，可利用文本编辑工具打开 storage.circ ，将所有文字信息复制粘贴到 Educoder 平台的 storage.circ 文件中，再点击评测按钮即可进行本关测试，平台会对你设计的电路进行自动测试，为方便测试，请勿修改子电路封装，本关测试用例如下:

CNT    Qu     Wei    Chip1Data00     1b     0a     0860085801     36     30     7ffe010402     1f     26     0850f89003     1c     1c     13fc104804     14     53     0100010005     31     07     0020111006     2a     27     0fe0082007     19     5a     5ff4402408     1c     32     40027ffe09     1d     2c     09447f40

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